Exynos 990中藏有三星真正的7LPP工藝
2020-08-24 10:14
半導(dǎo)體百科
關(guān)注
去年，三星宣布在其Exynos 9825中使用的7LPP工藝中引入了EUV。通過對芯片的分析，我們發(fā)現(xiàn)他們在9825中的所謂7LPP工藝與在Exynos 9820中的8LPP工藝之間幾乎沒有區(qū)別。
現(xiàn)在，我們很高興地說，我們在其旗艦產(chǎn)品Galaxy S20中的Exynos 990中發(fā)現(xiàn)了三星真正的7LPP工藝。如我們所料，這款7納米EUV工藝是迄今觀察到的三星密度最高的。
憑借27nm的fin節(jié)距，這一突破性創(chuàng)新使NMOS和PMOS晶體管的3fin／3fin版圖可保持268nm的較小標(biāo)準(zhǔn)單元高度，同時擁有高驅(qū)動電流。
與臺積電的7nm 3／3 7．5T 300nm標(biāo)準(zhǔn)單元高度和 2／2 6T 240nm標(biāo)準(zhǔn)單元高度相比，EUV光刻實(shí)現(xiàn)的密度確實(shí)更高。
英特爾的10納米制程具有相近的272nm標(biāo)準(zhǔn)單元高度，但是采用了2／3 的fin數(shù)比例。除了節(jié)距微縮外，三星還以令人驚訝的實(shí)現(xiàn)方式推出了SDB，該SDB縮短了所需的晶體管隔離距離，最初宣布SDB會在其6LPP工藝平臺中進(jìn)行部署。
分享
聲明：
本文由入駐維科號的作者撰寫，觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表OFweek立場。如有侵權(quán)或其他問題，請聯(lián)系舉報。
請輸入評論內(nèi)容...
請輸入評論/評論長度6~500個字
最新活動更多
-
即日-11.30免費(fèi)預(yù)約申請>>> 燧石技術(shù)-紅外熱成像系列產(chǎn)品試用活動
-
10月28日火熱報名中>> 皇冠CAD(CrownCAD)2025新品發(fā)布會
-
11月29日立即預(yù)約>> 【上海線下】設(shè)計(jì)，易如反掌—Creo 11發(fā)布巡展
-
11月30日立即試用>> 【有獎試用】愛德克IDEC-九大王牌安全產(chǎn)品
-
即日-12.26火熱報名中>> OFweek2024中國智造CIO在線峰會
-
限時免費(fèi)下載立即下載 >>> 2024“機(jī)器人+”行業(yè)應(yīng)用創(chuàng)新發(fā)展藍(lán)皮書
- 高級軟件工程師 廣東省/深圳市
- 自動化高級工程師 廣東省/深圳市
- 光器件研發(fā)工程師 福建省/福州市
- 銷售總監(jiān)（光器件） 北京市/海淀區(qū)
- 激光器高級銷售經(jīng)理 上海市/虹口區(qū)
- 光器件物理工程師 北京市/海淀區(qū)
- 激光研發(fā)工程師 北京市/昌平區(qū)
- 技術(shù)專家 廣東省/江門市
- 封裝工程師 北京市/海淀區(qū)
- 結(jié)構(gòu)工程師 廣東省/深圳市
