本文來(lái)自方正證券研究所2021年6月13日發(fā)布的報(bào)告《國(guó)產(chǎn)芯片認(rèn)知的五大誤區(qū)》。

由于集成電路產(chǎn)業(yè)鏈極其復(fù)雜，因而對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈有很多認(rèn)知誤區(qū)，本文集中回答了最常見國(guó)產(chǎn)芯片五大誤區(qū)：

一、有了光刻機(jī)就能造芯片？

其實(shí)光刻只是半導(dǎo)體前道7大工藝環(huán)節(jié)（光刻、刻蝕、沉積、離子注入、清洗、氧化、檢測(cè)）中的一個(gè)環(huán)節(jié)，雖然是最重要的環(huán)節(jié)之一，但是離開了其他6個(gè)環(huán)節(jié)中的任何一個(gè)都不行。

集成電路的制造工藝分為“三大”＋“四小”工藝：

三大（75％）：光刻、刻蝕、沉積；

四小（25％）：清洗、氧化、檢測(cè)、離子注入。

一般情況下光刻占整條產(chǎn)線設(shè)備投資的30％，與刻蝕機(jī)（25％）、PVD／CVD／ALD（25％）并列成為最重要的三大前道設(shè)備之一，所以并不是有了光刻機(jī)就能造芯片，光刻只是芯片制造工藝流程的中的一個(gè)，還需要其他6大前道工藝設(shè)備的支撐，其重要程度與光刻機(jī)同等重要。

二、中國(guó)最緊迫的是造出光刻機(jī)？

其實(shí)目前中國(guó)并不缺光刻機(jī)，缺的是其他6大類被美國(guó)廠商把持的工藝設(shè)備（沉積、刻蝕、離子注入、清洗、氧化、檢測(cè)）。

光刻機(jī)大致分為兩類：

1、DUV深紫外線光刻機(jī)：可以制備0．13um到7nm芯片；

2、EUV極紫外線光刻機(jī)：適合7nm到3nm以下芯片。

目前情況下DUV光刻機(jī)并不限制中國(guó)，還在正常供應(yīng)，因?yàn)楣��?yīng)商重要來(lái)自于歐洲荷蘭的ASML以及日本Nikon、佳能，并不直接受美國(guó)禁令，但EUV目前并未買到。

在前序報(bào)告里提到，我們認(rèn)為中國(guó)半導(dǎo)體未來(lái)將從全部外循環(huán)，轉(zhuǎn)向外循環(huán)＋內(nèi)循環(huán)的雙循環(huán)架構(gòu)，基于半導(dǎo)體是全球化深度分工的現(xiàn)實(shí)，外循環(huán)也就是團(tuán)結(jié)非美系設(shè)備商依舊是重點(diǎn)和現(xiàn)實(shí)的選擇。目前前道設(shè)備格局是：

1、光刻機(jī)：由歐洲ASML和日本Nikon和Canon壟斷；

2、刻蝕、沉積、離子注入、清洗、氧化、檢測(cè)設(shè)備：由美國(guó)和日本壟斷，其中檢測(cè)設(shè)備由美系的KLA深度壟斷。

所以現(xiàn)在中國(guó)半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)大背景下的內(nèi)外雙循環(huán)的當(dāng)務(wù)之急是依靠國(guó)產(chǎn)和聯(lián)合歐洲、日本去替代美國(guó)把持的非光刻設(shè)備，所以，與絕大多數(shù)人理解的不同，中國(guó)半導(dǎo)體制造并不缺光刻機(jī)。

三、“自研”就能解決芯片缺口？

其實(shí)目前大多數(shù)“自研”不僅不能解決目前的芯片缺口，反倒會(huì)加劇芯片短缺。

因?yàn)樗�謂的各大互聯(lián)網(wǎng)公司／車廠／手機(jī)廠商的“自研”芯片，其實(shí)只是芯片的設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，是芯片制造工藝的一個(gè)步驟，與我們所缺的芯片成品差了最為關(guān)鍵的芯片制造。現(xiàn)在全球缺芯，缺的不是芯片設(shè)計(jì)，而是最為核心重要的芯片制造。

現(xiàn)在全民自研芯片，會(huì)加大晶圓廠的流片訂單，會(huì)持續(xù)加大芯片代工產(chǎn)能供需缺口。所以未來(lái)解決芯片缺口只能靠Fab制造廠（中芯、華虹）、IDM廠（華潤(rùn)微、長(zhǎng)存、長(zhǎng)鑫），而不是靠“自研”（芯片設(shè)計(jì)）。

相對(duì)來(lái)說(shuō)，芯片設(shè)計(jì)門檻相對(duì)較低，啟動(dòng)快，見效快，商業(yè)模式與軟件開發(fā)類似，中國(guó)在諸多芯片設(shè)計(jì)fabless領(lǐng)域都已經(jīng)全球領(lǐng)先，以華為海思為例，在被限制芯片代工之前，海思的各類芯片設(shè)計(jì)實(shí)力已經(jīng)是全球前二。

所以現(xiàn)在更需要支持的是芯片制造領(lǐng)域，而不是芯片設(shè)計(jì)（自研），如果沒有穩(wěn)固的fab代工廠的支撐，fabless也不過(guò)是空中樓閣海市蜃樓。

四、目前中國(guó)只缺高端芯片？

當(dāng)下其實(shí)中國(guó)缺的更多的反倒是成熟工藝，8寸比12寸緊缺，12寸的90／55nm比7／5nm緊缺。

成熟／先進(jìn)工藝都很重要，缺一不可，一臺(tái)手機(jī)里面除了AP和DRAM外，其他絕大多數(shù)芯片都是成熟工藝。電車需要的芯片，特別是功率半導(dǎo)體芯片／MCU芯片都是成熟12寸或是8寸。

對(duì)于中國(guó)來(lái)說(shuō)，不僅在先進(jìn)工藝7／5／3nm與臺(tái)積電差距巨大，更大的差距體現(xiàn)在成熟工藝的產(chǎn)能。以等效8英寸產(chǎn)能計(jì)算，中芯國(guó)際的產(chǎn)能也就只有臺(tái)積電的10％～15％，差距依舊巨大，根本無(wú)法滿足國(guó)內(nèi)的需求。

特別是國(guó)內(nèi)的芯片設(shè)計(jì)上市公司，絕大多數(shù)都在成熟工藝節(jié)點(diǎn)，但是根本沒有本土配套的成熟代工產(chǎn)能與其配套；

韋爾股份的CIS／PMIC／Driver、兆易創(chuàng)新的NOR和MCU、匯頂科技的指紋識(shí)別、圣邦股份的模擬IC、卓勝微的射頻等芯片都在12寸的成熟工藝（90～45nm），而不是所謂的14／10／7／5nm先進(jìn)工藝。更為重要的是，當(dāng)下需求量最大的電車和光伏逆變器／MCU／功率芯片都是在8寸成熟產(chǎn)能上完成，這也是目前最缺的板塊，稀缺程度超過(guò)所謂的“先進(jìn)”芯片。

所以，現(xiàn)在的當(dāng)務(wù)之急反倒不是7／5／3nm，而是先做好成熟工藝。

五、中國(guó)要獨(dú)立建成自己的半導(dǎo)體工業(yè)體系？

其實(shí)半導(dǎo)體是一個(gè)深度全球化的行業(yè)，沒有任何一個(gè)國(guó)家能夠?qū)崿F(xiàn)完全“國(guó)產(chǎn)化”。

目前的半導(dǎo)體全球布局是：

半導(dǎo)體設(shè)備：美國(guó)為主、歐洲日本為輔；

半導(dǎo)體材料：日本為主，美國(guó)歐洲為輔；

芯片代工：中國(guó)臺(tái)灣省為主，韓國(guó)為輔；

存儲(chǔ)芯片：韓國(guó)為主、美國(guó)日本為輔；

芯片設(shè)計(jì)：美國(guó)為主，中國(guó)大陸為輔；

芯片封測(cè)：中國(guó)臺(tái)灣省為主，中國(guó)大陸為輔；

EDA／IP：美國(guó)為主，歐洲為輔。

所以，我們可以看到全球沒有哪一個(gè)國(guó)家能夠覆蓋半導(dǎo)體的全產(chǎn)業(yè)鏈，所以全球化合作依舊是行業(yè)主流。

但是，由于中美的科技摩擦，對(duì)于中國(guó)來(lái)說(shuō)，必須要進(jìn)行雙循環(huán)。也就是從之前的外循環(huán)為主、內(nèi)循環(huán)為輔，改變成現(xiàn)在的外循環(huán)為輔、內(nèi)循環(huán)為主。

所以，面對(duì)美國(guó)對(duì)中國(guó)的條件約束，當(dāng)務(wù)之急就是針對(duì)美國(guó)的強(qiáng)勢(shì)領(lǐng)域進(jìn)行替代，并盡最大努力對(duì)美國(guó)之外的（歐洲、日本等）繼續(xù)進(jìn)行外循環(huán)。

目前美國(guó)把持的核心技術(shù)集中體現(xiàn)在除光刻機(jī)之外的半導(dǎo)體設(shè)備（PVD、檢測(cè)、CVD、刻蝕機(jī)、清洗機(jī)、離子注入、氧化、外延、退火），另外就是EDA開發(fā)軟件。

風(fēng)險(xiǎn)提示：中美貿(mào)易摩擦加劇、地緣政治加劇的風(fēng)險(xiǎn)；國(guó)產(chǎn)替代不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)；半導(dǎo)體下游需求不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)。

前序報(bào)告：《中國(guó)半導(dǎo)體走向何方？》《認(rèn)知華為的三個(gè)階段》《國(guó)產(chǎn)設(shè)備的格局》《分析師眼里的半導(dǎo)體變局》