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濕電子化學品

最近上海疫情、江蘇疫情導致很多半導體供應鏈出現(xiàn)中斷的情況,昆山、江陰、南通等地聚集著很多半導體周邊產(chǎn)業(yè),比如濕電子化學品。上個月還好屯了一批貨,要不然實驗室都斷料了。

半導體材料行業(yè)不僅技術門檻高,也是一個產(chǎn)業(yè)規(guī)模大、細分行業(yè)多。上海很多半導體大廠的工人都在廠內吃住一個月了。希望上海趕快好轉起來吧。

今天聊一下濕電子化學品。

其實半導體產(chǎn)業(yè)用用到的材料很多,包括晶圓用的

硅片及硅基材料、光掩模版、電子氣體、光刻膠及試劑、CMP 拋光材料、工藝化學品、靶材及其他材料;封裝材料包括封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘結材料及其他封裝材料。

濕電子化學品,又稱超凈高純試劑或工藝化學品,指主體成分純度大于 99.99%,一般要求控制雜質顆粒粒徑低于 0.5?m,金屬雜質含量低于 ppm 級(10-6為 ppm,10-9為 ppb,10-12為 ppt)。雜質離子和微粒數(shù)符合嚴格要求的化學試劑,屬于重要的晶圓制造材料之一;濕電子化學品屬于電子化學品領域的分支,是微電子、光電子濕法工藝制程(主要包括濕法刻蝕、清洗、顯影、剝離等)中使用的各種液體化工材料。按照組成成分和應用工藝不同,濕電子化學品可分為通用濕電子化學品和功能濕電子化學品,通用濕電子化學品一般為單組份、單功能、被大量使用的液體電子化學品,例如酸類、堿類、有機溶劑類等;功能濕電子化學品指通過復配手段達到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的化學品,如剝離液、顯影液、刻蝕液、清洗液等。

不同線寬的集成電路制程工藝中必須使用不同規(guī)格的超凈高純試劑進行蝕刻和清洗;其中,G1 等級屬于低檔產(chǎn)品,G2 等級屬于中低檔產(chǎn)品 G3 等級屬于中高檔產(chǎn)品,G4 和 G5 等級則屬于高檔產(chǎn)品。濕電子化學品在各應用領域的產(chǎn)品標準有所不同,光伏一般只需要 G1 級水平;顯示面板和 LED 對濕電子化學品的等級要求一般為 G2、G3 水平;集成電路對濕電子化學品的純度要求較高,基本集中在 G3 以上水平,晶圓尺寸越大對純度要求越高,12 英寸晶圓制造一般要求 G4 以上水平;分立器件對濕電子化學品純度的要求略低于集成電路,基本集中在 G2 級水平。

濕電子化學品在半導體領域的應用,主要集中在集成電路(芯片)和分立器件晶圓的加工方面,其主要用途為清洗、顯影、蝕刻、剝離幾類。在進行芯片制作前,一般要對晶圓的表面進行拋光處理。主要步驟為機械研磨(使用氧化鋁顆粒)、蝕刻清洗(使用硝酸、醋酸、氫氧化鈉等)、晶圓拋光(使用硅土粉進行化學機械研磨)和表面清洗(氨水、過氧化氫、去離子水等)。晶圓表面處理后,還將對晶圓進行一系列的復雜工藝,使純粹的硅晶圓變?yōu)?N型或 P 型硅晶圓。晶圓處理后,芯片制造流程與 TFT-LCD 陣列制程基本相同,均有成膜、涂膠、曝光、顯影、蝕刻、光刻膠剝離等流程。在圖形轉移過程中,一般需要進行十幾次光刻和蝕刻工藝,對濕電子化學品需求較大。根據(jù) IC 線寬的不同,所需要的濕電子化學品等級亦有所差別。IC 線寬越窄,集成度越高,對濕電子化學品要求也越高。


       原文標題 : 濕電子化學品

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