局部背接觸結(jié)構(gòu)單晶Si太陽電池的研究
[摘要] 報道了采用局部背接觸結(jié)構(gòu)的激光刻槽埋柵太陽電池的研究結(jié)果。模擬分析了局部背接觸結(jié)構(gòu)的作用,
設(shè)計了合理的電池結(jié)構(gòu)。通過工藝優(yōu)化,得到了轉(zhuǎn)換效率達到17. 28 %(大氣質(zhì)量AM = 1. 5 G,VOC = 650. 4
mV ,JSC = 33. 15 mA/ cm2 , FF= 0. 8014 ,電池面積為4 cm2 )的太陽電池。
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上網(wǎng)時間：2009-03-25
