3

2021年6月8日，美國國會參議院通過了長達(dá)1400多頁《2021美國創(chuàng)新與競爭法案》，這項法案計劃撥款約2500億美元。

《美國創(chuàng)新與競爭法案》源自舒默和托德·楊去年共同提出的《無盡前沿法案》。2021年初，美國國會曾醞釀要通過多項能夠得到跨黨派支持和規(guī)模宏大的法案，以增強(qiáng)美國的科技創(chuàng)新和重建美國的制造業(yè)。在這些法案中，由參議院多數(shù)黨領(lǐng)袖、紐約州民主黨參議員舒默和印第安納州共和黨參議員托德·楊共同起草的《無盡前沿法案》曾被認(rèn)為最有可能高票通過。

然而，幾個月下來，該法案經(jīng)歷了曲折復(fù)雜的變化。參議員們吵得最兇的，是資金如何分配。每個人都想在法案里填上一筆，確保自己能分到一杯羹，在這個過程中，但凡出現(xiàn)修改，就必須再次重復(fù)流程。華盛頓州參議員瑪麗亞·坎特威爾要求法案里加入幫助波音公司的條款，波音公司的生產(chǎn)基地在華盛頓州；密歇根州民主黨參議員加里·彼得斯要求拿出20億，緩解汽車廠關(guān)閉的問題，密歇根州最大的城市就是底特律。參議員們提出了多達(dá)230項修正案。

原法案中為新技術(shù)和創(chuàng)新理事會提供的1000億美元預(yù)算被砍為290億美元，其他預(yù)算則被轉(zhuǎn)給美國能源部在幾個州的實驗室。共和黨成員聲稱，他們會在最終的投票時，將《無盡前沿法案》的內(nèi)容“全部刪除”。

2021年5月18日，舒默推出了一個新的替代案，即《美國創(chuàng)新與競爭法案》，用以取代《無盡前沿法案》，除了在NSF設(shè)立技術(shù)與創(chuàng)新學(xué)部、在未來五年內(nèi)為NSF撥款810億美元（其中包括給新成立的學(xué)部分配290億美元）、五年內(nèi)撥款100億美元由商務(wù)部主導(dǎo)成立10個區(qū)域技術(shù)創(chuàng)新中心等措施之外，又增加了撥款527億美元用于提升國內(nèi)半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)，撥款15億美元用于5G創(chuàng)新等內(nèi)容。

該法案提交給美國國會參議院的有3個版本，分別為15頁的簡要概述、85頁的簡版和1445頁的詳版。

未來5年投入大約1200億美元，用于包括人工智能、半導(dǎo)體、量子計算、先進(jìn)通信、生物技術(shù)和先進(jìn)能源在內(nèi)的關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域的基礎(chǔ)和先進(jìn)研究、商業(yè)化、教育和培訓(xùn)項目。

該法案主要涉及了4個立法目標(biāo)：

1 在國家科學(xué)基金會（National Science Foundation，NSF）設(shè)立一個新的技術(shù)和創(chuàng)新理事會（DTI，Directorate for Technology and Innovation）

2 創(chuàng)設(shè)區(qū)域技術(shù)中心

3 針對經(jīng)濟(jì)安全、科學(xué)、研究、創(chuàng)新、制造和就業(yè)建立一個戰(zhàn)略報告體系

4 設(shè)立供應(yīng)鏈韌性和危機(jī)應(yīng)對計劃的項目。

該法案的另一部分是《2021年戰(zhàn)略競爭法案》，這部分法案致力于讓美國減少對中國供應(yīng)鏈的依賴，加強(qiáng)美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實力，以及在科研領(lǐng)域增加研究經(jīng)費等。

為應(yīng)對中國的科技競爭，該法案還提出與盟友共享技術(shù)戰(zhàn)略，包括技術(shù)控制和標(biāo)準(zhǔn)，以及關(guān)于開發(fā)和獲取關(guān)鍵技術(shù)的戰(zhàn)略。

2022年1月25日美國眾議院公布了2900多頁的《美國競爭法案》，其中有520億美元關(guān)于芯片投資的內(nèi)容，與2021年6月9日參議院通過的《美國創(chuàng)新與競爭法案》相同。

美國運用了一系列手段，目的就是想讓芯片制造業(yè)回流美國，重新奪回高科技領(lǐng)域的控制權(quán)。

雷蒙多認(rèn)為：“半導(dǎo)體問題不會在一兩個月或12個月內(nèi)得到解決，需要很長時間才能解決。這是一個重大的國家安全問題。美國國內(nèi)不生產(chǎn)任何領(lǐng)先的尖端微型芯片，唯一的解決辦法是聯(lián)邦政府鼓勵公司在美國生產(chǎn)這些芯片，這將需要數(shù)年時間�！�

2021年10月26日，臺積電張忠謀給美國潑冷水：美國過去半導(dǎo)體制造市場占有率曾達(dá)42％，目前降至17％，美國政府積極推動半導(dǎo)體在地制造，希望讓半導(dǎo)體制造市場占有率回升。他認(rèn)為，美國供應(yīng)鏈不完整，且生產(chǎn)成本高，美國半導(dǎo)體在本地制造不可能會成功。

至于英特爾積極鼓吹美國政府補貼半導(dǎo)體廠，張忠謀表示，英特爾的動機(jī)是瞄準(zhǔn)美國政府的補貼，只是這對亞洲，甚至是全世界的半導(dǎo)體廠都是挑戰(zhàn)�！叭绻�你在美國制造芯片，但價格沒有更便宜，或者質(zhì)量沒有更好，這將對制造商的決定產(chǎn)生強(qiáng)烈影響。”

根據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SIA）的數(shù)據(jù)，全球75％的半導(dǎo)體產(chǎn)能集中在東亞，而美國半導(dǎo)體公司占全球產(chǎn)能的比例從1990年的37％一直跌到了現(xiàn)在的12％。美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會估計，未來只有6％的全球生產(chǎn)中心將設(shè)在在美國。

相比之下，在未來十年，中國大陸預(yù)計將增加約40％的產(chǎn)能，成為全球最大的半導(dǎo)體制造基地。

據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SIA）估計，如果要在美國建新廠的話，新廠未來十年的總持有成本將比中國臺灣、韓國、新加坡高出30％，比中國大陸甚至高出37％至50％。

臺積電正在美國亞利桑那州廠建廠，作為5納米芯片的生產(chǎn)基地之一，預(yù)計2024年開始量產(chǎn)，月產(chǎn)能可達(dá)2萬片，2021年至2029年的投資將達(dá)到約120億美元。臺媒估計，臺積電還將在此地建四、五座廠。

然而，受到美國土木、電力系統(tǒng)缺工嚴(yán)重的影響，臺積電不僅建廠成本大增，進(jìn)度也比預(yù)期大為落后。原本預(yù)計明年安裝設(shè)備，現(xiàn)在也只能往后推遲。